FDS8880 与 BSO110N03MS G 区别
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规格信息
型号	FDS8880	BSO110N03MS G
唯样编号	A3t-FDS8880	A-BSO110N03MS G
制造商	ON Semiconductor	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 30 V 10 mO Surface Mount PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
数据表		BSO110N03MSG.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率耗散Pd	2.5W(Ta)	2.5W
宽度	-	3.9mm
漏源极电压Vds	30V	30V
Qg-栅极电荷	-	20nC
栅极电压Vgs	±20V	±20V
正向跨导 - 最小值	-	16S
典型关闭延迟时间	-	9.5ns
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	8-SOIC	SOIC-8
连续漏极电流Id	11.6A	12.1A
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C
系列	PowerTrench®	OptiMOS3M
通道数量	-	1Channel
配置	-	Single
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1235pF @ 15V	-
长度	-	4.9mm
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	30nC @ 10V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	-
下降时间	-	4.4ns
典型接通延迟时间	-	7.8ns
导通电阻Rds(On)	10m Ohms@11.6A,10V	11mΩ@12.1A,10V
高度	-	1.75mm
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
FDS8880	ON Semiconductor		功率MOSFET	11.6A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 10m Ohms@11.6A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 11.6A 8-SOIC	暂无价格	当前型号
IRF8721PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.5mΩ@14A,10V N-Channel 30V 14A 8-SO	暂无价格	对比
IRF7463TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8mΩ@14A,10V N-Channel 30V 14A 8-SO	暂无价格	对比
IRF7805PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 2.5W(Ta) 11mΩ@7A,4.5V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 30V 13A 8-SO	暂无价格	对比
IRF7805TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11mΩ@7A,4.5V N-Channel 30V 13A 8-SO	暂无价格	对比
BSO110N03MS G	Infineon	数据手册	功率MOSFET	30V 12.1A 11mΩ@12.1A,10V ±20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C SOIC-8	暂无价格	对比